• 1． CVD制备的石墨烯尺寸是多大？

  G-CVD系统所制备的石墨烯薄膜主要取决于设备炉管尺寸，目前G-CVD系统可选炉管尺寸有2寸、4寸和8寸。以8寸炉管为例，可制备的石墨烯薄膜尺寸约为25*50cm2。

• 2． 石墨烯可否生长在任意基底上？

  目前常用的基底为铜箔和镍箔。

  本公司开发了一系列针对不同硬质、柔性和孔洞基底的石墨烯转移技术。可以将石墨烯转移到不同的基底上，包括硅片，石英玻璃板等硬质基底，PET柔性基底，另外也可以将石墨烯转移到铜网等特殊衬底获得悬空的石墨烯样品。

• 3． 单层石墨烯的厚度

  0.335nm。

• 4． 可获得的单晶石墨烯尺寸？

  选择特殊处理的铜箔基底，再优化生长工艺，所制备的单晶石墨烯尺寸小至数微米，大可到数毫米，连续可调。

• 5． 可制备的石墨烯薄膜是否连续的，均匀性如何？

  G-CVD系统可以制备100%覆盖度的均匀的石墨烯薄膜，单层率高达97%。

• 6． 石墨烯的透光性如何？

  单层石墨烯的透光度极好，理论值为97.7%。CVD制备的单层石墨烯转移后依然保持超高的透光度，如下图所示，扣除玻璃背景后单、双层石墨烯的透光度分别为97.5%（550nm）和95.5%（550nm）。

  

• 7． 石墨烯的方块电阻是多少？

  单层石墨烯（转移在硅片或者PET上面）方阻依据转移方法和技术：400~1300欧姆每平方。选用本公司专门研发的掺杂剂，单层石墨烯的方块电阻可以稳定在300~400欧姆每平方，双层石墨烯的方块电阻可以稳定在150~230欧姆每平方。

  
  

更多问题请给我们留言，谢谢！